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直流高压发生器 技术与运用的结合
 相信大家对于它并不陌生，而它具体是做什么的，肯定了会一清二楚，那么对于它采用的工艺相信你并不是很清楚，那么我们先介绍一下它的工艺和优势，高频直流高压发生器采用脉冲宽度调制（PWM）工艺、IGBT、以及先进的电子线路及元件，．以下讲会为你详细的解决一下关于它采用的工艺：
PWM(脉冲宽度调制):
　 脉冲宽度调制是一种模拟操控方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行操控的一种非常有效的工艺。

PWM操控工艺以其操控简单，直流高压发生器灵活和动态响应好的优点而成为电力电子工艺*广泛应用的操控方式，也是人们研究的热点。由于当今科学工艺的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代操控理论思想或实现无谐振波开关工艺将会成为PWM操控工艺发展的主要方向之一。

IGBT 
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，直流高压发生器是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域
通过以上工艺的结合，使直流高压发生器具有输出不受电网波动干扰，有零位、过流、击穿、过压等保护措施，无论过流、击穿、过压保护电路都能迅速动作，有效保障设备及人员**

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